资料图（根源：SMIC） 头年，中芯国际表示将在四时度启封基于 14nm FinFET 制程的量产芯片。并且，该企业也在卖力开支子弟非同小可节点（N+1），宣示兼具可拉平 7nm 工艺的一些表征。与中芯国际自各儿的 14nm 制程对照，N+1 可在属性升迁 20% 的再者下跌 57% 的功耗、并将逻辑面积消损了 63% 。 但事实上，中芯国际表示 N+1 并不同等 7nm 技能。只管新工艺可让 SoC 变得更小、更缩衣节食，但 N+1 牵动的通性调升，仍鞭长莫及与 7nm 竞品毕其功于一役棋逢

射频器件概述 射频器件是无线连接的核心，是实现信号发送和接收的基础零件，有着广泛的应用。 射频器件包括射频开关和LNA，射频PA，滤波器，天线Tuner和毫米波FEM等 其中滤波器占射频器件市场额约50%，射频PA占约30%，射频开关和LNA占约10%，其他占约10%。 可以看到，滤波器和PA是射频器件的重要部分，PA负责发射通道的信号放大，滤波器负责发射机接收信号的滤波。 目前，射频器件的主要市场如下： 手机和通讯模块市场，约占80%； WIFI路由器市场，约占9%； 通讯基站市场，约占9%